casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF830LPBF
Número da peça de fabricante | IRF830LPBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF830LPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRF830LPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF830LPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF830LPBF-FT |
SIHP24N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP33N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP7N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP7N60E-GE3
Vishay Siliconix
SQP100N04-3M6_GE3
Vishay Siliconix
SQP120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
SUP10250E-GE3
Vishay Siliconix
SUP18N15-95-E3
Vishay Siliconix
SUP25P10-138-GE3
Vishay Siliconix
SUP28N15-52-E3
Vishay Siliconix
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel