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Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF

Name: IRF8306MTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8306MTR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (370 reviews)

Número da peça MFG: IRF8306MTR1PBF

Quantidade disponível: 67670 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF8306MTR1PBF.pdf

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IRF8306MTR1PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRF8306MTR1PBF
Número da peça futura	FT-IRF8306MTR1PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRF8306MTR1PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	23A (Ta), 140A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4110pF @ 15V
Recurso FET	Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DIRECTFET™ MX
Pacote / caso	DirectFET™ Isometric MX
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8306MTR1PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF8306MTR1PBF-FT

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