casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7601PBF
Número da peça de fabricante | IRF7601PBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF7601PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF7601PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Micro8™ |
Pacote / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7601PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF7601PBF-FT |
SPB42N03S2L-13 G
Infineon Technologies
SPB42N03S2L13T
Infineon Technologies
SPB47N10
Infineon Technologies
SPB47N10L
Infineon Technologies
SPB70N10L
Infineon Technologies
SPB73N03S2L-08
Infineon Technologies
SPB73N03S2L-08 G
Infineon Technologies
SPB73N03S2L08T
Infineon Technologies
SPB77N06S2-12
Infineon Technologies
SPB80N03S2-03
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel