casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7524D1PBF
Número da peça de fabricante | IRF7524D1PBF |
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Número da peça futura | FT-IRF7524D1PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FETKY™ |
IRF7524D1PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Micro8™ |
Pacote / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7524D1PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF7524D1PBF-FT |
SPB20N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB20N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB21N10
Infineon Technologies
SPB21N10 G
Infineon Technologies
SPB21N10T
Infineon Technologies
SPB21N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB35N10
Infineon Technologies
SPB35N10 G
Infineon Technologies
SPB35N10T
Infineon Technologies
SPB42N03S2L-13
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel