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Infineon Technologies IRF6709S2TR1PBF

Name: IRF6709S2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6709S2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (734 reviews)

Número da peça MFG: IRF6709S2TR1PBF

Quantidade disponível: 94970 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF6709S2TR1PBF.pdf

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IRF6709S2TR1PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRF6709S2TR1PBF
Número da peça futura	FT-IRF6709S2TR1PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRF6709S2TR1PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 39A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 13V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DIRECTFET S1
Pacote / caso	DirectFET™ Isometric S1
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6709S2TR1PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF6709S2TR1PBF-FT

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