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Infineon Technologies IRF6643TRPBF

Número da peça MFG
IRF6643TRPBF
Quantidade disponível
54090 Peças
Preço de referência
USD 0.75504
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF6643TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante IRF6643TRPBF
Número da peça futura FT-IRF6643TRPBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF6643TRPBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2340pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor DIRECTFET™ MZ
Pacote / caso DirectFET™ Isometric MZ
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6643TRPBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF6643TRPBF-FT

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