casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF6619TR1PBF

| Número da peça de fabricante | IRF6619TR1PBF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF6619TR1PBF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF6619TR1PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5040pF @ 10V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DIRECTFET™ MX |
| Pacote / caso | DirectFET™ Isometric MX |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF6619TR1PBF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF6619TR1PBF-FT |

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