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Infineon Technologies IRF6614
- Número da peça MFG
- IRF6614
- Quantidade disponível
- 64550 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- HEXFET® MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IRF6614.pdf
IRF6614 Especificações
| Número da peça de fabricante | IRF6614 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF6614 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF6614 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 20V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DIRECTFET™ ST |
| Pacote / caso | DirectFET™ Isometric ST |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF6614 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF6614-FT |
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