casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF6609
Número da peça de fabricante | IRF6609 |
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Número da peça futura | FT-IRF6609 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF6609 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta), 150A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6290pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DIRECTFET™ MT |
Pacote / caso | DirectFET™ Isometric MT |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6609 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF6609-FT |
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