casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF6604TR1
Número da peça de fabricante | IRF6604TR1 |
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Número da peça futura | FT-IRF6604TR1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF6604TR1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DIRECTFET™ MQ |
Pacote / caso | DirectFET™ Isometric MQ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6604TR1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF6604TR1-FT |
IRF6678TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6678TRPBF
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IRF6714MTR1PBF
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M2GL025T-1VFG256I
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