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Infineon Technologies IRF630NSTRLPBF

Número da peça MFG
IRF630NSTRLPBF
Quantidade disponível
17290 Peças
Preço de referência
USD 0.57464
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IRF630NSTRLPBF.pdf
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IRF630NSTRLPBF Especificações

Número da peça de fabricante IRF630NSTRLPBF
Número da peça futura FT-IRF630NSTRLPBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF630NSTRLPBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 82W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D2PAK
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF630NSTRLPBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF630NSTRLPBF-FT

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