casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF6150
Número da peça de fabricante | IRF6150 |
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Número da peça futura | FT-IRF6150 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF6150 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 3W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-FlipFet™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6150 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF6150-FT |
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XC7S50-1FGGA484I
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LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
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EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel