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Infineon Technologies IRF5803D2TR

Número da peça MFG
IRF5803D2TR
Quantidade disponível
15390 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
FETKY™ MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF5803D2TR Especificações

Número da peça de fabricante IRF5803D2TR
Número da peça futura FT-IRF5803D2TR
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series FETKY™
IRF5803D2TR Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
Recurso FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) 2W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5803D2TR Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF5803D2TR-FT

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