casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF5803D2PBF
Número da peça de fabricante | IRF5803D2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRF5803D2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FETKY™ |
IRF5803D2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5803D2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF5803D2PBF-FT |
BSO119N03S
Infineon Technologies
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO130P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO130P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO200N03S
Infineon Technologies
BSO200P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO200P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO201SPHXUMA1
Infineon Technologies
BSO201SPNTMA1
Infineon Technologies
BSO203SPHXUMA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel