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Infineon Technologies IRF5802
- Número da peça MFG
- IRF5802
- Quantidade disponível
- 56870 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- HEXFET® MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IRF5802.pdf
IRF5802 Especificações
| Número da peça de fabricante | IRF5802 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF5802 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF5802 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 540mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Micro6™(TSOP-6) |
| Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF5802 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF5802-FT |
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