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Infineon Technologies IRF3808SPBF
- Número da peça MFG
- IRF3808SPBF
- Quantidade disponível
- 89910 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- HEXFET® MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IRF3808SPBF.pdf
IRF3808SPBF Especificações
| Número da peça de fabricante | IRF3808SPBF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF3808SPBF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF3808SPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 106A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5310pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 200W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
| Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF3808SPBF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF3808SPBF-FT |
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