casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF1310NSTRR
Número da peça de fabricante | IRF1310NSTRR |
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Número da peça futura | FT-IRF1310NSTRR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF1310NSTRR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1310NSTRR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF1310NSTRR-FT |
IPB65R190CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R225C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R280E6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R310CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R420CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel