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Número da peça de fabricante | IR04EB470J |
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Número da peça futura | FT-IR04EB470J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR04EB470J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 170mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2.75 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 13MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.5MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04EB470J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR04EB470J-FT |
IR02ST331K
Vishay Dale
IR02ST391K
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IR02ST3R0J
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IR02ST471K
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IR02ST4R3H
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel