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Número da peça de fabricante | IR04BH910J |
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Número da peça futura | FT-IR04BH910J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR04BH910J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 91µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 136mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 4.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.5MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH910J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR04BH910J-FT |
IR02ST1R2J
Vishay Dale
IR02ST1R2K
Vishay Dale
IR02ST1R5H
Vishay Dale
IR02ST1R8K
Vishay Dale
IR02ST220K
Vishay Dale
IR02ST221K
Vishay Dale
IR02ST2R2K
Vishay Dale
IR02ST2R7K
Vishay Dale
IR02ST330K
Vishay Dale
IR02ST331K
Vishay Dale
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation