casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IR04BH510J
Número da peça de fabricante | IR04BH510J |
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Número da peça futura | FT-IR04BH510J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR04BH510J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 51µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 167mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2.85 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 12.7MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.5MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH510J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR04BH510J-FT |
IR02SHR68K
Vishay Dale
IR02SHR82J
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IR02ST100K
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LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
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