casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IR04BH182J
Número da peça de fabricante | IR04BH182J |
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Número da peça futura | FT-IR04BH182J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR04BH182J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 1.8mH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 56mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 56.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1.6MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 250kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH182J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR04BH182J-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
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