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Número da peça de fabricante | IR02RU3R0H |
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Número da peça futura | FT-IR02RU3R0H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02RU3R0H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 3µH |
Tolerância | ±3% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02RU3R0H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02RU3R0H-FT |
IR02EB150K
Vishay Dale
IR02EB151K
Vishay Dale
IR02EB180K
Vishay Dale
IR02EB181K
Vishay Dale
IR02EB1R0K
Vishay Dale
IR02EB1R2K
Vishay Dale
IR02EB1R5K
Vishay Dale
IR02EB1R8K
Vishay Dale
IR02EB220K
Vishay Dale
IR02EB221K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel