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Número da peça de fabricante | IR02EB5R6K |
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Número da peça futura | FT-IR02EB5R6K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02EB5R6K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 185mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 65MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB5R6K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02EB5R6K-FT |
IR02BH102K
Vishay Dale
IR02BH120K
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IR02BH121K
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IR02BH150J
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IR02BH1R0J
Vishay Dale
XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel