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Número da peça de fabricante | IR02EB470K |
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Número da peça futura | FT-IR02EB470K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02EB470K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 110mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 4.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 20MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.5MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB470K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02EB470K-FT |
IMS05WDSTR68K40
Vishay Dale
IMS05WDSTR82K40
Vishay Dale
IMS5SWDBH101K65
Vishay Dale
IR02BH100J
Vishay Dale
IR02BH100K
Vishay Dale
IR02BH101K
Vishay Dale
IR02BH102K
Vishay Dale
IR02BH120K
Vishay Dale
IR02BH121K
Vishay Dale
IR02BH150J
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation