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Número da peça de fabricante | IR02EB3R9K |
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Número da peça futura | FT-IR02EB3R9K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02EB3R9K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 3.9µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 250mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 80MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB3R9K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02EB3R9K-FT |
IMS05WDSTR33K40
Vishay Dale
IMS05WDSTR68K40
Vishay Dale
IMS05WDSTR82K40
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IMS5SWDBH101K65
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IR02BH100J
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IR02BH100K
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IR02BH101K
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IR02BH102K
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IR02BH120K
Vishay Dale
IR02BH121K
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel