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Número da peça de fabricante | IR02EB100K |
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Número da peça futura | FT-IR02EB100K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IR |
IR02EB100K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 130mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 3.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 50MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB100K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IR02EB100K-FT |
IMS05WDST2R2K40
Vishay Dale
IMS05WDST330K40
Vishay Dale
IMS05WDST332K40
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XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
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A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
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EPF10K200SRC240-3
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