casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R360P7SAKMA1
Número da peça de fabricante | IPSA70R360P7SAKMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPSA70R360P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R360P7SAKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 400V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 59.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R360P7SAKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPSA70R360P7SAKMA1-FT |
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB036N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel