casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R360P7SAKMA1
Número da peça de fabricante | IPSA70R360P7SAKMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPSA70R360P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R360P7SAKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 400V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 59.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R360P7SAKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPSA70R360P7SAKMA1-FT |
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
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IPB019N08N3GATMA1
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IPB023N06N3GATMA1
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IPB025N10N3GATMA1
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IPB025N10N3GE8187ATMA1
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IPB034N06N3GATMA1
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IPB036N12N3GATMA1
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IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel