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Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1

Name: IPS110N12N3GBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS110N12N3GBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (296 reviews)

Número da peça MFG: IPS110N12N3GBKMA1

Quantidade disponível: 40090 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPS110N12N3GBKMA1.pdf

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IPS110N12N3GBKMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPS110N12N3GBKMA1
Número da peça futura	FT-IPS110N12N3GBKMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IPS110N12N3GBKMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4310pF @ 60V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	136W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO251-3
Pacote / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS110N12N3GBKMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPS110N12N3GBKMA1-FT

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