casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPS110N12N3GBKMA1
Número da peça de fabricante | IPS110N12N3GBKMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPS110N12N3GBKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPS110N12N3GBKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 120V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 60V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS110N12N3GBKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPS110N12N3GBKMA1-FT |
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