casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP70N10SL16AKSA1
Número da peça de fabricante | IPP70N10SL16AKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP70N10SL16AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
IPP70N10SL16AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP70N10SL16AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP70N10SL16AKSA1-FT |
IPP16CNE8N G
Infineon Technologies
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel