casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP65R660CFDAAKSA1
Número da peça de fabricante | IPP65R660CFDAAKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP65R660CFDAAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPP65R660CFDAAKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R660CFDAAKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP65R660CFDAAKSA1-FT |
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