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Infineon Technologies IPN70R2K1CEATMA1

Name: IPN70R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R2K1CEATMA1
Price: 0.19028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (205 reviews)

Número da peça MFG: IPN70R2K1CEATMA1

Quantidade disponível: 20260 Peças

Preço de referência: USD 0.19028

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: - MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPN70R2K1CEATMA1.pdf

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IPN70R2K1CEATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPN70R2K1CEATMA1
Número da peça futura	FT-IPN70R2K1CEATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
IPN70R2K1CEATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	750V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	163pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	5W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223
Pacote / caso	SOT-223-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN70R2K1CEATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPN70R2K1CEATMA1-FT

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