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Infineon Technologies IPI084N06L3GXKSA1

Name: IPI084N06L3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI084N06L3GXKSA1
Price: 0.753232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (504 reviews)

Número da peça MFG: IPI084N06L3GXKSA1

Quantidade disponível: 46180 Peças

Preço de referência: USD 0.753232

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH TO262-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPI084N06L3GXKSA1.pdf

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IPI084N06L3GXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPI084N06L3GXKSA1
Número da peça futura	FT-IPI084N06L3GXKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IPI084N06L3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 34µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4900pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	79W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO262-3-1
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI084N06L3GXKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPI084N06L3GXKSA1-FT

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