casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI032N06N3GAKSA1
Número da peça de fabricante | IPI032N06N3GAKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI032N06N3GAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI032N06N3GAKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 188W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI032N06N3GAKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI032N06N3GAKSA1-FT |
IPW60R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW50R140CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW90R800C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R165CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R190CEFKSA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel