casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI020N06NAKSA1
Número da peça de fabricante | IPI020N06NAKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI020N06NAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI020N06NAKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 143µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3-1 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI020N06NAKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI020N06NAKSA1-FT |
IPW90R800C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R165CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R190CEFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R250CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R280CEFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R350CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R399CPFKSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel