casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IPG16N10S4L61AATMA1
Número da peça de fabricante | IPG16N10S4L61AATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPG16N10S4L61AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG16N10S4L61AATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 25V |
Potência - Max | 29W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8-10 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG16N10S4L61AATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPG16N10S4L61AATMA1-FT |
IRF7317TRPBF
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