casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD90N06S4L05ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD90N06S4L05ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD90N06S4L05ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD90N06S4L05ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 107W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S4L05ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD90N06S4L05ATMA1-FT |
IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEATMA1
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IPD50R950CEBTMA1
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IPD530N15N3GATMA1
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IPD530N15N3GBTMA1
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IPD5N03LAG
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IPD600N25N3GATMA1
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IPD600N25N3GBTMA1
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IPD60R170CFD7ATMA1
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LFEC3E-4T144C
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A42MX24-3PQ208
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5SGXMA9N3F45I3N
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XCS40-4BG256C
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XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel