casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD80R450P7ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD80R450P7ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD80R450P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD80R450P7ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 500V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 73W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R450P7ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD80R450P7ATMA1-FT |
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125 E6327
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BSP125 E6433
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BSP125H6327XTSA1
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BSP125H6433XTMA1
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BSP125L6327HTSA1
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BSP125L6433HTMA1
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BSP129E6327
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BSP129E6327T
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BSP129H6906XTSA1
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