casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD65R600C6BTMA1
Número da peça de fabricante | IPD65R600C6BTMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD65R600C6BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD65R600C6BTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R600C6BTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD65R600C6BTMA1-FT |
IPD320N20N3GBTMA1
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IPD50N03S2L06ATMA1
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IPD50N03S4L06ATMA1
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel