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Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1

Name: IPD65R1K4CFDBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R1K4CFDBTMA1
Price: 0.40856 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (124 reviews)

Número da peça MFG: IPD65R1K4CFDBTMA1

Quantidade disponível: 82230 Peças

Preço de referência: USD 0.40856

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf

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IPD65R1K4CFDBTMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPD65R1K4CFDBTMA1
Número da peça futura	FT-IPD65R1K4CFDBTMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™
IPD65R1K4CFDBTMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	262pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	28.4W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO252-3
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R1K4CFDBTMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPD65R1K4CFDBTMA1-FT

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