casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50P03P4L11ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD50P03P4L11ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD50P03P4L11ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD50P03P4L11ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | +5V, -16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 58W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50P03P4L11ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD50P03P4L11ATMA1-FT |
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD050N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06N3GBTMA1
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IPD053N06NATMA1
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IPD053N08N3GBTMA1
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IPD05N03LA G
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IPD05N03LB G
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IPD060N03LGATMA1
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IPD060N03LGBTMA1
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IPD068N10N3GBTMA1
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A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
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A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel