casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD35N10S3L26ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD35N10S3L26ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD35N10S3L26ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD35N10S3L26ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3-11 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD35N10S3L26ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD35N10S3L26ATMA1-FT |
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