casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD12N03LB G
Número da peça de fabricante | IPD12N03LB G |
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Número da peça futura | FT-IPD12N03LB G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD12N03LB G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 52W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD12N03LB G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD12N03LB G-FT |
IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD079N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
IRLR9343TRPBF
Infineon Technologies
IPD034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
AUIRFR5410TRL
Infineon Technologies
IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.