casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD12N03LB G
Número da peça de fabricante | IPD12N03LB G |
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Número da peça futura | FT-IPD12N03LB G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD12N03LB G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 52W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD12N03LB G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD12N03LB G-FT |
IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD079N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
IRLR9343TRPBF
Infineon Technologies
IPD034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
AUIRFR5410TRL
Infineon Technologies
IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel