casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPC218N06L3X1SA1
Número da peça de fabricante | IPC218N06L3X1SA1 |
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Número da peça futura | FT-IPC218N06L3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPC218N06L3X1SA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 196µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sawn on foil |
Pacote / caso | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC218N06L3X1SA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPC218N06L3X1SA1-FT |
FDR844P
ON Semiconductor
FDR858P
ON Semiconductor
FDS4465_SN00187
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FDS6298_G
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FDV304P-CGB8
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FDWS9520L-F085
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FDZ191P_P
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FDZ201N
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FDZ202P
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
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