casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB80N08S2L07ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB80N08S2L07ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB80N08S2L07ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB80N08S2L07ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 233nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N08S2L07ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB80N08S2L07ATMA1-FT |
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.
IRF1324S-7PPBF
Infineon Technologies
IRF1324STRL-7PP
Infineon Technologies
IRF1405ZS-7P
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRL-7P
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRL7PP
Infineon Technologies
IRF2804S-7PPBF
Infineon Technologies
IRF2804STRL-7P
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel