casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB45N06S409ATMA2
Número da peça de fabricante | IPB45N06S409ATMA2 |
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Número da peça futura | FT-IPB45N06S409ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB45N06S409ATMA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3785pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB45N06S409ATMA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB45N06S409ATMA2-FT |
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB055N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB05CN10N G
Infineon Technologies
IPB05N03LA
Infineon Technologies
IPB05N03LA G
Infineon Technologies
IPB05N03LAT
Infineon Technologies
IPB05N03LB
Infineon Technologies
IPB05N03LB G
Infineon Technologies
IPB065N06L G
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel