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Infineon Technologies IPB12CNE8N G

Name: IPB12CNE8N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB12CNE8N G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (621 reviews)

Número da peça MFG: IPB12CNE8N G

Quantidade disponível: 91840 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPB12CNE8N G.pdf

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IPB12CNE8N G Especificações

Número da peça de fabricante	IPB12CNE8N G
Número da peça futura	FT-IPB12CNE8N G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IPB12CNE8N G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	85V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB12CNE8N G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPB12CNE8N G-FT

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