casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB120P04P4L03ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB120P04P4L03ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB120P04P4L03ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB120P04P4L03ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 234nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120P04P4L03ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB120P04P4L03ATMA1-FT |
BSS214NW L6327
Infineon Technologies
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS223PW L6327
Infineon Technologies
BSS223PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS816NW L6327
Infineon Technologies
BSS84PW
Infineon Technologies
BSS84PW L6327
Infineon Technologies
SN7002W E6327
Infineon Technologies
SN7002W E6433
Infineon Technologies
SN7002W L6327
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel