casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB100N08S207ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB100N08S207ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB100N08S207ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB100N08S207ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB100N08S207ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB100N08S207ATMA1-FT |
AUIRL1404ZS
Infineon Technologies
AUIRL1404ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRL3705ZS
Infineon Technologies
AUIRL3705ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRLS3034
Infineon Technologies
AUIRLS3036
Infineon Technologies
AUIRLS3036TRL
Infineon Technologies
AUIRLS4030
Infineon Technologies
AUIRLS4030TRL
Infineon Technologies
AUIRLZ24NS
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel