casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / IMZ2AT108
Número da peça de fabricante | IMZ2AT108 |
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Número da peça futura | FT-IMZ2AT108 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMZ2AT108 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 180MHz, 140MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMZ2AT108 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMZ2AT108-FT |
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M1A3P1000-FG484I
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APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256I7N
Intel
EP2AGX45DF25C5G
Intel
A40MX02-2PQG100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC356-1
Intel