casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / IMX9T110
Número da peça de fabricante | IMX9T110 |
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Número da peça futura | FT-IMX9T110 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMX9T110 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 560 @ 10mA, 3V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 350MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX9T110 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMX9T110-FT |
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